Notice: Undefined index: linkPowrot in C:\wwwroot\wwwroot\publikacje\publikacje.php on line 1275
Strona główna > Publikacje
Publikacje
Pomoc (F2)
[136160] Artykuł:

Femtosecond laser induced oxygen vacancies in CeO2 with filament-type resistive switching memory

Czasopismo: Applied Surface Science   Tom: 1, Zeszyt: 1
ISSN:  1873-5584
Opublikowano: Styczeń 2025
 
  Autorzy / Redaktorzy / Twórcy
Imię i nazwisko Wydział Katedra Do oświadczenia
nr 3		 Grupa
przynależności		 Dyscyplina
naukowa		 Procent
udziału		 Liczba
punktów
do oceny pracownika		 Liczba
punktów wg
kryteriów ewaluacji
Lisha Fan Niespoza "N" jednostkiInżynieria mechaniczna12.00.00  
Ling Wu Niespoza "N" jednostkiInżynieria mechaniczna8.00.00  
Yongji Wang Niespoza "N" jednostkiInżynieria mechaniczna8.00.00  
Xianwei Tang Niespoza "N" jednostkiInżynieria mechaniczna8.00.00  
Xu Bao Niespoza "N" jednostkiInżynieria mechaniczna8.00.00  
Shuowen Zhang Niespoza "N" jednostkiInżynieria mechaniczna8.00.00  
Xiaoyu Ding Niespoza "N" jednostkiInżynieria mechaniczna8.00.00  
Jun Pan Niespoza "N" jednostkiInżynieria mechaniczna8.00.00  
Szymon Tofil orcid logo WMiBMKatedra Inżynierii Eksploatacji i Przemysłowych Systemów Laserowych*Takzaliczony do "N"Inżynieria mechaniczna8140.00140.00  
Qiwei Song Niespoza "N" jednostkiInżynieria mechaniczna8.00.00  
Jianhua Yao Niespoza "N" jednostkiInżynieria mechaniczna8.00.00  
Huaping Wu Niespoza "N" jednostkiInżynieria mechaniczna8.00.00  

Grupa MNiSW:  Publikacja w czasopismach wymienionych w wykazie ministra MNiSzW (część A)
Punkty MNiSW: 140


Abstract:

Memristors made from metal oxides mainly rely on resistive switching (RS) due to the migration of oxygen vacancies for binary states. Oxygen vacancy engineering is therefore of great significance for improving the RS performance of metal oxides. In this work, a non-destructive femtosecond-laser strategy is demonstrated to modify the surface states of CeO2 epitaxial films and induce oxygen vacancies for enhanced RS performance. Morphology and structure remain stable in laser-treated CeO2 films, but surface chemistry shows increased oxygen vacancies and adsorbed oxygens. Electrical measurement shows significant enhancement in RS ratios of memristors made from laser-treated CeO2. An average RS ratio of 65 is achieved in laser-treated CeO2 epitaxial films for 10 times. The laser-treated CeO2 epitaxial films for 10 times exhibits excellent stability. As identified by linearly fitting their I-V curve, resistive switching mechanism transfers from interface-limited Schottky emission to bulk-limited filament formation between untreated CeO2 and laser-treated CeO2 for 10 times. The study advances the understanding of RS mechanism in terms of oxygen vacancies and provides a single-step, large-scale, and energy-effective laser engineering route for non-destructive memristive material manipulation.


POWRÓT
Strona główna > Publikacje